三星电子推出业界首款符合HBM2E规范的内存——Flashbolt HBM DRAM

近日，三星电子宣布推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。它是第二代Aquabolt的后继产品，具有16GB的两倍容量和3.2Gbps的更高稳定传输速度。

新的内存设计具有更高的速度和容量，使其成为高性能计算（HPC）的理想选择。与Aquabolt相比，从8GB到16GB模块，Flashbolt使内存容量增加了一倍。它提供了可靠的传输速度，高达每秒3.2吉比特（Gbps），同时每个堆栈提供410GB / s的内存带宽。据报道，峰值传输速度为4.2Gbps，每个堆栈的内存带宽为538GB / s。

三星将继续出售其第二代Aquabolt系列产品，同时逐步提高Flashbolt的产量。他们正在寻求为其下一代产品加强生态系统伙伴关系，以过渡行业HBM解决方案。

三星电子存储器销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi在评论发布会时说：随着当今可用的性能最高的DRAM的推出，我们正在迈出关键的一步，以增强我们在快速增长的高端存储器市场中作为领先创新者的作用。随着我们巩固在全球内存市场的优势，三星将继续履行其承诺，带来真正的差异化解决方案。