二极管的三种伏安特性

二极管的三种伏安特性

二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系曲线。二极管的伏安特性通常用来描述二极管 的性能。

1. 正向特性

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式际为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管为0.2 ~ 0.3V, 硅管为0.6 ~ 0.7V)以后，二极管才能真正导通。导通后，二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V)，称为二极管的“正向压降”。

2. 反向特性

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，二极管处于截止状态，这种连接方式称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电电流。反向电流(漏电电流)有两个显著特点: 一是受温度影响很大;二是反向电压不超过一定范围时，其电流大小基本不变，即与反向电压大小无关，因此反向电流又称为反向饱和电流。

3. 击穿特性

当二极管两端的反向电压增大到某一 数值时， 反向电流急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。